現役のトランジスターはエミッター入力に2sc1275(ft2000MHz)定電流はse5021(ft375MHz)）PNPタイプは2Ｎ2906(ft200MHz)で、今でも若干発振状態です。
今回使用するのはNPNタイプに2sc1275(ft2000MHz)PNPタイプは2sa711(ft1000MHz)で
これで組み立てたらどうなるのか？
組み立てても当然発振すると思いますが、もうここ迄来たら必然的使命と感じています。
ただ回路定数変更があります、定電流回路3.3ｖツェナーダイオード（20㎃流して実測2.8ｖ）だったのが手持ち確認で2.6ｖに変わりましたのでエミッター抵抗が390Ωから330Ωに変更。
アルミ基盤は今回は手直しヶ所が多く発生すると思い諦めました。
組み立て完成基盤
アルミ基盤より若干大きめです。
最初組み立て時の動作電圧で最低限定電流回路の出力TRに繋がるTRが0.5Ｖ位で動作していません！
入力部は何とかですが他の電圧がバラバラで当初ショック！
ある程度のバイパスコンデンサーは付けていましたが・・・
色々調べたら定電流回路エミッター抵抗330Ω付近に手を触れれば出力電圧が急激に変化します・・こんなところでも信号を拾って発振するのか？
出力トランジスターコレクターに無負荷だといけないのでゲインを下げる目的で4.7㏀を入れています（出力に負荷を繋げれば並列負荷になります）両定電流回路エミッター抵抗330Ωにもバイパスコンデンサーを追加したら一変で超安定な動作に変わりました。
高価な部品は使用してませんので、作り直しでも負担に感じません！
余りにもバイパスコンデンサーを付けたので、高FT化の効果は？肝心の音が気になるところです
追) チャンネルフィルター部も3Way,4Wayと兼用としました。
実家に置いたままのコーラル3Way LO 15L100ドロンコーン MID M-100＋ホーン
H Ｈ－100で35年位馴らしていませんので聴いてみたくなりました。
4Wayから3Way時の切り替えはMIDLO端子リード線を外しますLO端子を繋ぎ変えるだけです。
HとMIDのゲインはピンソケット式NF抵抗値を交換します。
