今約半分で低域（DOA）と中低域用基盤です。やはり作り直しは大変！
21日追加 せっかく作り直しなら、チャンネルフィルターのカレントバファーの中、定電流はシリコンダイオード×4個で代用よりオンセミのツェナー3Ｗタイプに変更します。
3.3V/3ＷツェナーDが、実質どの位低い電圧出るのか？エミッター抵抗変更は避けたい思い。（カレントバファーの作り直しは今は無理）
実装時の電圧が不明なのでデジ・キーに久しぶり3種類注文しました。
今現在2個しか必要ないのに、でも今後のために！
デジ・キー19日夜注文したのに21日夕方には着いた。
これって本当にアメリカからの発送だろうか？
しかも6000円以上送料無料で消費税なし。
28日追加
ヘッドフォンアンプ以上に苦戦！
基盤が正常に動作するか？仮調節して行き固定抵抗に置き替えられる処は交換します。
まず一枚目（中音、高音用）ですが、片方はオフセット調節VRでカバーしきれない（24Ωショートしても）ので20ΩVOLは100Ωに変更しました。（中点より４５度の傾きで合いました）
当初は前回路素子の移植で再測定していない為の少しのバラツキと思っていました。
問題はもう片方です500㎷のオフセット！これは100ΩVOL交換と24Ω×2をショートしてもカバーできません。
初段2SK117のバラツキか？でもそんなにバラツキのある2SK117FETをペアにする訳ないし、回路の各抵抗値も実測で確認しました。
ただ予想は付きますが？基本に戻って差動入力の初段ゲートを両方アースに落として測定していきます。
測定時SICMOS出力には過大電流が流れやすいので、出力石又は電流検出抵抗を取り外します。
追加
次DOA基盤も調節してみました。こちらは片方見事20ΩのオフセットVRの中心付近でピッタリ！ もう片方は250㎷位のオフセット電圧です。
ここで入力ゲートに指で触れるとオフセット電圧が低下します。
発振しているのに気付きました、そう移植前の2段目は2SA607でHfe100位で理想でした。
今回は2SJ103ソース抵抗の自己バイアスは180Ωですがゲインがまだ高い事になります。
ちょっと位相補正のやり易い中高音基盤で、帰還抵抗に22㎊並列に付けて見ましたらオフセットVR100Ωに変更した45度の傾きで合っていたのが、ほぼ中心の位置で合いました。
もう片方はまだ難しい！
ここで2SJ103自己バイアス抵抗180Ωから330Ωに変更したが良いのですが、発振が止まらないのだけするか？
ヘッドフォンアンプ基盤と違い、スペースはあり交換し易いので完璧に330Ωに全部交換すれば気分もスッキリしますが・・。個別対応で良いかも？
まず個別基盤対応でバッチリとすることにします。
オフセット電圧500㎷の原因を調べます
＋と－電源、電流検出抵抗0.1Ωを外します。
2SK117入力ゲートをアースに落とし差動入力条件を同じにします。
後は電圧を測定していきます、するとあっさりと差動2段目のプラス側のドレン電圧が低いのです。
ドレン抵抗2.2KΩがハンダ付け不良で断線状態でした。ん‥断線状態でも500㎷のオフセットで一応動作するのか！
オフセット調節VRは20Ωに戻しましたが、ほぼ中心位置で合いました。
FETのペア特性が良ければ、抵抗は超精密だから素晴らしいです。
念の為、帰還抵抗に並列に22㎊のコンデンサーは付けます。
追加 片方ですが中高音ユニットが形に
帰還抵抗部分はソケット式にしてＶＲから最終は抵抗に置き替えます。
切れ端の銅板は隙間の為に入れています。
電源電圧±20Ｖで始めアイドル電流は120㎃に、徐々に温度上昇してかなり熱くなり、その時はアイドル電流は150㎃です。
アルミ板は90㎜×175㎜×8㎜で基盤下の銅板は100㎜×110㎜×2㎜です。
当初アルミ板は少し長いのでカットしようと思ってましたが、切らなくて良かったです。
追
同じ基盤を多数製作すると、傾向が分かってより信頼性が増します。
6月14日追加
両方揃いました
しばらくは、この基盤は作りたくない！
