SICMOS出力はコの字型シャーシに正確に取付けるために、ベース基盤に取付ける事にしました。回路はK式NO267参考に
この基盤にやなさん基盤ソケットを取付けます。
ドライブ石のエミッター抵抗は150Ω×2個で容量を増やしました。
初段の位相補正コンデンサーは形状が大きくてもディップマイカコンを使います、積層セラミックコンデンサは高周波特性が良すぎて音声の高周波成分が出なくなります。
定電流回路はやなさん基盤にどうせ入らないので、側に基盤を置いて5.1Ｖツェナー5Ｗ型に20㎃の定電流regIC(CCR),トランジスターは2SC984を使用予定です。
出力ドライブの石は決め切らないので丸ピンソケット式にしました。
温度補償は負荷がヘッドフォンのため付けません！それよりもある程度シャーシが暖まる位のアイドル電流を流します。
作業はなかなか進みません！
13日追加
たったこれだけの定電流回路基盤がやっと出来た！電流もVR4㎃中心で、ところがぎりぎりの高さ予定でクリアとなるはずだったのですが、まともにツェナーダイオードとTRが重なり高さオーバーでダメです。VRの高さまではOKでTRにスライドする摺動子があたります。
これだけならTRを左に曲げればよいのですが、右側はそうもできません！
もっとスリム化しないと！VR廃止、基盤は最小面積で！
そう！定電流Ｄとツェナーダイオードは立体配線、その上に小基盤。
やなさん基盤上のFETの自己バイアスにすれば苦労しないのにと思うのですが、これが拘り！でしょうか？ まだ片CHです。
14日追加
エミッター抵抗基盤は、始めバラック配線で定電流値4㎃ になるように半固定VRで電流合わせて、抵抗値を実測して2個の抵抗値で近づけます。
チップ抵抗の基盤ハンダ付けは、小さく基盤をカットする前に付けた方が付け易いようです。
