他の事して中高音用パワーＩＶＣ作業が進歩しないなか、金田式NO248は製作することはありませんが、イコライザー回路のシンプルな配線図に少しショックでした。
アンプ回路は反転するたび音が悪くなると思っていますので、納得のエミッター入力＋反転出力です。
金田式パワーIVCでは、初段、ドライブにMOSFET(2SK216,J79)使用したシングルドライブ方式が一番シンプルなのですが、信号－側ドライブのMOSFETのバイアスのかけ方とMOSFETの定電流が馴染みが少なく手が出ませんでした。
シングルドライブ方式はネット検索しても製作例が余りなかったのでしたが、ふとHatena Blogさんhttp://hohon88.hatenablog.com/entry/2016/05/08/210912の回路が目に留まりました。（製作者の音質評価も気になります）
これは前段を書き写したのですが、－側ドライブのベースバイアスは部品は増えますが、分かり易くシングルドライブ方式の良さがあります。
SMD基板に実装しても配線がしやすいような感じがします。
配線図見続けていると、どうもこちらがシンプルで意欲が湧きます。
製作して安定動作となるかは分かりませんが、初めは試作基板となるのは確実です。
22日追加
色々見ていると目移りする回路がありますが、出力素子の温度補償を考慮すると上記写真が良いようです。
手持ちの部品（TR等）で実体配線図を書くと
入力FETは、今回高周波（チューナー）用2SK211にしてみることにします。Vgdoは18Ｖでぎりぎりですが良しとします。
VHF帯の高周波用ですので、Gには発振防止で数十Ωの抵抗をいれます。
マイナス側のドライブTRは2SA1312よりもHN4A51Jが配線し易いようです、2.5ｍAの定電流は2ＳＫ209（Ｋ117）でします。
プラス側反転ドライブのベースのダイオード（温度補償兼用）は2SA1312×3個使用するよりもHN3A51F×2個にします。
2段目のコレクター抵抗（Ｇ入力抵抗）はオフセット調節も兼ねていて、出力、ドライブ基板に付けた方がスペース的に調節し易いようです。
追加
hohon77さん、軽快な製作の中の一つで、今度はクロスシャントドライブ方式を製作されています。
クロスシャントでなければ超シンプル！
クロスシャントでなければ動作安定度がわるいのでしょうか？
回路図上信号経路の抵抗はSICMOSの周辺のみ・・・
回路図見ているだけで、シンプルで音が良さそう！
（hohon77さん音質評価では今までの製作のなかでもトップクラスだそうです）
ま～次々の製作には感心します。
回路図見ているだけでは、実際の音は想像するだけ・・・になります。
でもこちらは定電流ダイオードの電流値が0.5ｍAと少ない！
もー、目移りする程で独特な回路での製作が沢山あります。
