片CH4ウェイで5回路必要ですが、低音部がDOA（ブリッジ）接続となるためです。
構成はヘッドフォンアンプと同じようにつくります。
先ずは低音部DOA接続アンプから
2SK213ドライブのソース抵抗300Ω（100Ω×3）にしましたので10回路分で60個必要で、RG3216(1/4W)型にしましたので全く数量足りませんので注文です。
抵抗はなるべくRGタイプで抵抗値が無い場合はRRタイプにします。
追
2SJ103ドレン抵抗2.2Ｋは1.1Ｋ(RG2012P)×2直列、トランジスター、FETはもちろん再利用です。
一枚目の基盤だけ出来上がり！電流調整用抵抗は抵抗値が決まってから取り付けです。
差動出力パワーIVCにするためのDOAアダプターの抵抗値ですが、マルチスピーカーの中で一番出力音圧の低い低音用パワーIVCは音量可変の必要は無く固定です。
もし反転側ゲインが違うと低音波形合成効率が低下するだけで、聴いても分かりません！（位相１８０度反転した波形合成です）
配線図
2SK117ソース抵抗48Ω（24Ω×2）はVR20Ωと抵抗値が小さいため可変内に入らない時はどちらか片方24Ωショートします。
今迄温度補償は定電流回路のベースの基準電圧シリコンダイオード（1S1588）0.6Ｖ×3本銅板で巻き熱伝導していましたが、定電圧回路で基準電圧ダイオードにて音質が変わる経験をしましたので変えましたが、総合的にサーミスター温度補償が良いのかわは未定です。
ヘッドフォンアンプのように温度補償無しで動作させられるのならと思います。
2SK117初段の位相補正180Ω（RG1608）と積層セラミックコンデンサ1000㎊（COG特性）ですが、抵抗値は小さくコンデンサーの容量は少し大きいと思ってましたが、エージングと共に今ではヘッドフォンで聴く限り実にリアル！ 低音と中低音はこの定数でします。
※ヘッドフォンアンプの事ですが、実は位相補正でも積層セラミックコンデンサの良さを初めて実感しました。
以前DACアナログ回路の１次LPFに使用した事がありましたが、エージング前の音で早くも断念！高周波特性が良いから音の高域成分をバイパスしてしまうと思ってました。
エージングでこれほど変わるとは全く思いませんでした。
ところで、何でか作業が遅い！です。
一枚目を見て2枚目基盤は幾分か早く出来そう！
1回路基盤（中低音用）
2回路基盤はヘッドフォンアンプ基盤と同じように製作したら入出力の向きが逆になるので、結果定電流回路のB-E接続が逆（交差して接続）になってましたので、修正しました。
2回路基盤も妥協やめて修正しました。（どうしてもパターンの箔は剥げます）
中高音用基盤ず～とどうするか迷っていましたが、2回路基盤を同じく使うと、現行基盤より幅は広くなりますが基盤＋部品の高さが抑えられますので、本体ケース内の空間に余裕ができてチャンネルフィルター基盤を移動させられます。
中高音基盤も同じ作りとした場合、2SJ103が新しく4ペア必要になりますが、分解の方の2SA606が多数余り、中高音に関しては2SA606を検討します。
