中低域、低域のパワーIVCの出力段に改善した電源ユニットを接続して聴いてみます。 んー・・・前と比べて薄さが無くなりましたが、ヘッドフォンの濃厚な音に慣れている耳には、満足感から言うとまだ足りません！（これはちょっと無理な要求かも）
スピーカーの前で音質を確認してみましたら・・・低域のウーファー、意外と低い音程ながらクリアーすぎるような音しています。
もう片方は・・・比べると何か滲んでいます。 中低域の音の違いは分かりません！
電源ユニットの違いなのか？ そう言えば滲んでいる方は、ズルして低域のフィルター抵抗だけそのままチップ抵抗に配線せずにニッコーム抵抗使用していましたが、それが原因なのか？ 低域音量VRはそのままでしたので、固定抵抗に交換する時に低域のフィルター抵抗はチップ抵抗の方へ結線し直しします。
5KΩのＶＲは、直列に接続している1.2KΩとプラスして6.2KΩのニッコーム抵抗付けるのではなく、配線の点からVRの換わりに5.1KΩのチップ抵抗を付けた方が良さそうに思います。（ニッコーム抵抗は在庫色々ありますがチップは注文です）
まだ考えるとスピーカーの極性プラス、マイナス入替えはスピーカーの端子の方でしないと、アンプの端子側でしたらケーブルの方向性が逆になるようなー・・・
改善点の思っている事を少しづつ行えば、また少し良くなるでしょう！
※ まずは、抵抗の違いよりも先に半固定VRを固定抵抗に置き換える事を先にしなくては・・・
