前回の基板はチップトランジスタのパターン間隔が適切でなかったようです。 それとLED2個による基準電圧はサイズの点で変えます。
ツェナーダイオードはFETによる定電流とします。
手元にあったツェナーダイオード05AZ3.0Zと3.6Xに,チップ2SK209GRで 3mA流して見ました、規定の電圧よりかなり低いです。
チップTRでも無理そうなので、3.6Vツェナーに3mA流して2.75Ｖの電圧を得てます。
チップトランジスタはN型デュアルのHN3A51Fとシングル2SA1312,2SC3324を使用します。
負荷抵抗はゲイン無し両方560Ωにしました。
電源電圧±12Vに対して入力のオフセット半固定VOLで合わせると4.09KΩで約3mAでしたので、２ＳＫ209GRがIDSS3mA位なのでFETの定電流に置き換えました。出力側のオフセットは始め8mVで除々に下がり再び外部から加熱すると反対の電位に上がります、熱容量がありますので、ふらつきは無く安定した動作です。
これなら20Ωの半固定VOLで調整と入れたのですが、抵抗値プラス方向でなくマイナス方向でした。
560Ωの下は510Ωで100Ωの半固定VOLになりますが、このまま入れない方が良いと思い、出力のオフセット調節用半固定VOLは入れてません。
もしパワーIVCケース内に入れれば、熱い位の動作環境になります。
このカレントバッファーでのオフセット0に近い環境は無理です！
只、出力のオフセットはプラス電源の変化に微妙に反応しますので、出力のオフセットは電源電圧の可変で対応しようと思っています。
今一度デュアルチップでの再製作も思っていますが、どうしよう！
追加です
ツェナーダイオードは試しに1Ｓ1588×4個直列（2.52Ｖ）にして見ました。
入力のオフセットは5mＶから時間経つと3mＶ、出力は10mＶから8mＶとパワーIVCケース内に基板を入れなければ非常に安定した動作状態とおもいます。
次は1Ｓ1588はシングルチップTRのB-E間×5個か1Ｓ1588×5個か？他のチップTRはデュアルに変更で3枚目の製作で納得基板になるようです。
このカレントバッファーだったら安心して接続出来るかもしれません！
後（ＤＡＣアナログ基板高精度ウィルソン型でも早く製作して見たいのです）
